路透社消息,Soitec近日宣布,已与日本半导体和电子材料制造商 Resonac Corporation 签署协议,开发使用 200mm SmartSiC 的碳化硅 (SiC) 晶圆。Resonac 的基板和外延工艺。
该协议的财务条款并未披露。
Soitec 在一份声明中表示:“这是 Soitec 高效碳化硅技术在日本和其他国际市场部署的一个重要里程碑。”
Soitec表示:“SmartSiC 碳化硅是一种颠覆性的化合物半导体材料,可为电动汽车和工业流程的高增长电力电子设备提供卓越的性能和效率。”
SmartSiC 碳化硅“能够实现更高效的能量转换、更轻、更紧凑的设计以及整体降低系统成本——所有这些都是工业应用和电动汽车成功的关键因素。”
Soitec 的 SmartCut 工艺概述
顾名思义,Soitec 起源于绝缘体上硅 (SOI) 行业。SOI 衬底广泛应用于整个电子行业,包括通信、传感器、射频和电源 IC。如图 1 所示,SOI 衬底包含一个薄硅器件层(厚度从几十纳米到几微米)、一个提供机械支撑的厚硅衬底,以及将两者隔开的绝缘体二氧化硅“埋氧层”。在薄顶层制造的器件受益于传统块状衬底无法实现的隔离通孔优化技术。在电力电子领域,这些优势包括能够隔离和集成近距离的低压和高压器件,同时氧化物可防止从 pn 结向下的泄漏路径,使横向功率器件能够在 200°C 以上的温度下有效运行。
总的来说,这些衬底由一层薄薄的单晶 SiC 组成,该衬底永久地粘合到(相对)低成本、高掺杂、多晶 SiC 处理衬底上。图 2 中可以看到 SmartSiC 衬底的图像,旁边是制造过程。Soitec 重新使用了他们的 SOI 图形,用单晶 SiC 供体晶片和多晶 SiC 处理晶片代替了 Si 晶片。这有助于将其与 Smart Cut(TM) 工艺进行比较:在单晶 SiC 晶片上植入一种轻元素(可能是氢),然后进行清洁、翻转并粘合到处理晶片上。两次退火,第一次在较低温度下进行,使供体晶片破裂,第二次在较高温度下进行,使粘合永久化,从而留下 SmartSiC 衬底和大部分 SiC 衬底,可以抛光和重复使用。
Soitec 确认单 SiC 的碳面与支撑晶片键合,确保 SmartSiC 表面是单 SiC Si 面,与传统 SiC 衬底相同。我们假设键合到多 SiC 表面的单 SiC 层厚度约为 1µm,这应该是适合在其表面上生长传统外延层的种子层,然后进行器件制造。
Soitec 表示,未经激光退火的SmartSiC 衬底的接触电阻率比经过激光退火的标准单晶 SiC 衬底的相同接触电阻率低 10 倍。因此,他们建议可以省去激光退火阶段,从而省去一项后端制造成本。
SmartSiC的主要优势
采用 SmartSiC 工艺最广为人知的优势之一是可以重复使用单个单晶 SiC 晶圆,Soitec 称至少可重复使用 10 次,这有助于解决目前业界普遍存在的 SiC 材料供应问题。
但最主要的还是在对器件性能的优化上,有比较积极的作用,2023年在布鲁塞尔举行的 CS International 2023 上,Soitec 首次展示了其衬底的“典型”值,如下图所示。典型的多晶硅 SiC 电阻率为 2.5 mOhm-cm,键合界面使比电阻增加 10 µOhm-cm2。他们还表示,他们的高掺杂几乎消除了接触电阻,将其从 50-100 µOhm-cm2 降低到 5 µOhm-cm2。
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