日本电装：开发出GaN 三电平汽车电驱方案

1月15日，据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。

据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大阪大学和电装合作，参与了日本环境省自 2022 年以来实施的项目“加速实现创新 CO₂ 减排材料的社会实施和传播项目”。新开发的高压三电平逆变器是该项目努力的结果。

图1 ：电装横向 GaN HEMT 电驱逆变器（左）、单相降压 DC-DC 转换器运行时的开关波形（右）。

提高电动汽车和混合动力电动汽车（HEV）的价值。在汽车系统中引入更先进的电力电子技术的速度正在加快。其中，一个典型的例子是基于碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的功率半导体的广泛应用。

随着电动汽车市场的不断发展，电力电子技术的引入速度正在加快，尤其是基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的功率半导体的广泛应用。这些新材料的功率半导体具有显著的潜力，但简单地用它们取代现有的硅基功率半导体是无效的。根据设备的使用目的，需要优化电路技术、控制技术和外围元件以充分发挥其潜力。然而，虽然基于新材料的功率半导体有很大的潜力，但简单地用它们取代现有的硅基功率半导体是无效的。需要根据设备的使用目的，优化电路技术、控制技术和外围元件以发挥GaN的潜力。名古屋大学与日本电装的这项成就将响应时代需求，扩大 GaN 器件的应用，并为车载电力电子技术的进一步复杂化和多样化做出贡献。

 

【2025全年计划】

隶属于ACT雅时国际商讯旗下的两本优秀杂志：《化合物半导体》＆《半导体芯科技》2025年研讨会全年计划已出。

线上线下，共谋行业发展、产业进步！商机合作一览无余，欢迎您点击获取！

https://www.compoundsemiconductorchina.net/seminar/