SK海力士：HBM混合键合工艺良率已得到提升

据韩媒报道，SK海力士日前宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。

SK海力士技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。

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