GaN器件的独特优点可以构建更高效、更小巧、更低成本的通信系统。将RF GaN HEMT 的电压加倍会增加其每个管芯的功率，并能够大幅减小超高功率系统的尺寸。不过器件 的高电压&高功率、高频率&高带宽、高效率&高可靠性间存在着此消彼长的互为约束关 系。弗劳恩霍夫应用固体物理研究所团队正在寻求一种更全面的优化折中设计，实现这些 参数指标的最佳优化组合，并已突破了可靠的100V GaN技术。

当前全球大部分半导体芯片和器件，虽然仍是以硅基半导体为主。不过，随 着万物互联、5G 通信及新能源时代的到来，以砷化镓、磷化铟、氮化镓及碳化 硅等为代表的化合物半导体，正在快速崛起。如5G 基站射频模块、光通信收发 器、手机射频PA，以及人脸识别VCSEL 光源、新一代显示Micro-LED、新能源 汽车主逆变器、光伏风电逆变器、自动驾驶毫米波/ 激光雷达等新应用场景的出现， 都将是化合物半导体的应用发展重点和成长动能。

消费类电子市场是电源 管理芯片的主要市 场之一，随着消费类市场 对芯片的国产化趋势加速， 电源IC 产品对性能与质量 的要求也日益严苛。

7月20 日，长沙三安第三代半导体项目开工活动在长沙 高新区举行。

II-VI 公司于2020 年8 月12 日宣布，将在2020 年末完成 对Ascatron AB（SiC 外延晶片和功率电子学领域的领导 者）和INNOViON Corporation（Si 和半导体器件离子注入 技术的领导者）两家公司的收购。此次收购意在打造垂直整 合SiC 功率电子技术平台。

8月5 日上午，南昌高新区举行2020 年重大重点项目集 中开工仪式，以中微半导体设备生产研发基地为代表的 27 个项目集中开工。

《若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产 业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。 国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》 《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》以 来，我国集成电路产业和软件产业快速发展，有力支撑了国 家信息化建设，促进了国民经济和社会持续健康发展。

七年磨剑，国内碳化硅功率半导体领军企业泰科天润的 1200V 碳化硅肖特基二极管由广电计量基于汽车电子 委员会发布的AEC-Q101《汽车级离散半导体元件应力测试》 标准，进行了历时5 个月之久的测试。测试的器件满足所有 规定的鉴定方法和标准，所有鉴定测试中均未观察到失效。 泰科天润成为国内碳化硅功率器件率先由权威第三方检测机 构测试并通过AEC-Q101 认证的制造商。

毫米波5G 的高性能前端需要功能强大且高效的GaAs IC，这些IC 必须以精心选择的方式进行封装。

具有V 形沟槽的SiC MOSFET 可降低导通电阻并减小开关损耗。

用高度取向石墨替代绝缘金属衬底中的铜芯，可在提升 SiC 功率模块导热性的同时 减轻其重量。

精心构建的专用模型使得 VCSEL 设计人员能够评估温度对器件的增益、输出功率和空间分布的影响 结果。