Wolfspeed Introduces First Automotive Grade Silicon Carbide Power Module EAB450M12XM3
业界动态 Industry
博世将在三代半等芯片业务上投资 30 亿欧元
Bosch To Invest €3billion In Chip Business
氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布收购碳化硅行业先驱GeneSiC
Navitas, the leader in the GaN power chip industry, announces the acquisition of GeneSiC, a pioneer in the silicon carbide industry
士兰微投建年产14.4万片6寸车规级SiC项目,新能源整体战略再落子
Silan Micro-invested to build a 6-inch vehicle-grade SiC project with an annual output of 144,000 pieces, and the overall strategy of new energy has been settled again
LPE和A*STAR IME在8寸SiC领域展开合作
2 LPE和A*STAR IME在8寸SiC领域展开合作 LPE And A*STAR IME To Collaborate On SiC
理想汽车功率半导体研发及生产基地启动建设
Leading Ideal automotive power semiconductor R&D and production base started construction
Wolfspeed 将建造全球最大碳化硅材料工厂
Wolfspeed to build the world's largest silicon carbide material plant
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
技术 Technology
确保高频下的可靠性
Ensuring reliability at elevated frequencies
GaN:
通往完美E模式 HEMT 的桥梁
GaN: A bridge to perfect E-mode HEMTs
超级结触发碳化硅超级器件
Superjunction sparks super devices in silicon carbide
助推电动汽车发展的新动力:
Soitec 的 SmartSiC™ 技术
Gearing up for electric vehicles with Soitec's SmartSiC substrates
地球之外有生命吗?如果有的话,它有多智能?这是两个耐人寻味的问题,引起了大多数 人的兴趣。为了寻找答案,我们建造了越来越强大的望远镜来探测宇宙的更深处,并开始 了前往附近行星的任务,以探索它们是由什么构成的。金星的表面温度高达460℃,这使 得探索工作极具挑战性。在1976年至1981年期间,苏联在地表放置了一些Venera着陆器, 为硅电子器件配备了隔热罩。但即使有这些帮助,电子器件也只能存活两个小时。由于带 隙、温度和电导率之间的这种关系,碳化硅在处理热量方面远比硅好,由碳化硅制成的器 件可以在至少800℃的温度下工作,而硅的温度只有200℃左右。更重要的是,更宽的带隙 降低了对辐射损伤的敏感性