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本期内容
2025年2/3月刊
封面故事 Cover Story
迎接异质革命
Say hello to the heterogeneous revolution
christopher Maxey、Justin Kim、Dave Hodge、Mark Soler、Bennett Coy、Dan Green、James Buckwalter 和 Florian Herrault 来自 PseudolithIC 公司
编者话 Editorial
碳化硅衬底产业的淘汰赛中的创新之道:
PVT与液相法的集成创新
The Path of Innovation in the Elimination Contest of the SiC Substrate Industry: Collaborative Innovation of PVT and Solution Growth Method
陆敏
业界动态 Industry
投资69亿港元 香港首座8英寸碳化硅晶圆厂签约
Investment of HK$6.9 billion: Hong Kong's first 8-inch silicon carbide wafer plant signed a contract
Voyant 推出芯片级FMCW激光雷达传感器
Voyant launches FMCW LiDAR sensor on a chip
通过太空验证，中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功
China's first high-voltage, radiation-resistant silicon carbide (SiC) power device has been successfully developed and validated through space tests
士兰集宏SiC生产线项目预计Q1封顶
The SiC production line project of Silan Jihong is expected to be topped off in Q1
西班牙获得欧洲批准，将向Diamond Foundry Europe新厂提供8100万欧元的补贴
Spain gains European approval for €81m subsidy for Diamond Foundry Europe's new fab
宽禁带半导体国家工程研究中心专栏 WBS Column
氧化镓功率器件辐射研究进展
Research Progress on Radiation of Gallium Oxide Power Devices
高端访谈 Top interview
展望 2025
looking forward to 2025
技术 Technology
高功率激光器:
量子阱还是量子点？
High-power lasers: wells or dots?
Yongkun Sin，Aerospace Corporation
氧化镓单晶与外延中的“准对称性”与“晶格巧合”
Highly Coherent Grain Boundaries Induced by Local Pseudomirror Symmetry in β-Ga2O3
严宇超-博士研究生（浙江大学），金竹-科创百人研究员（浙江大学杭州国际科 创中心），邓天琪-科创百人研究员（浙江大学杭州国际科创中心，）张辉（浙江 大学教授 杭州镓仁半导体有限公司董事长），杨德仁-院士（浙江大学）
利用拓扑LED实现手性发射
Realising chiral emission with topological LEDs
康俊勇，厦门大学
人工智能推动数据中心能耗增加
AI drives data centre energy consumption increase
检视GaN MOS-HEMT中的陷阱
Scrutinising traps in GaN MOS-HEMTs
Barry O'Sullivan，IMEC
科技前沿 Research Review
高场电子器件非侵入式、亚微米级精确电场检测
Non-invasive, Sub-micrometer-level precise electric field detection
实现基于ScAlMgO4衬底的红色发光二极管
Realising red LEDs on ScAlMgO4 substrates
SiC MOSFETs:
了解等离子体氮化带来的好处
SiC MOSFETs: Understanding the benefits of plasma nitridation
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粤公网安备 44030402004706号
自超大规模集成电路（VLSI）硅 CMOS 技术诞生以来，其射频（RF）和毫米波性能在不断追求更小的栅极尺寸和更高器件密度的过程中 一直处于次要地位。填补这一空白的是多种化合物半导体，例如砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和磷化铟（InP），它们在更高的频率 下提供高增益和高输出功率。得益于这些器件，人们得以构建固态相控阵雷达、5G/6G 基站和量子计算机。然而，这些应用在生态系统中 面临着诸多挑战，许多人可能认为“异质”材料是一个问题，它会减缓并限制其采用。与硅 CMOS 相比，化合物半导体器件的制造时间 通常要长一倍，单位面积的成本要高出 5 到 10 倍，因为它们缺乏高量产带来的基本经济优势。一个吸引人的解决方案是异质集成。