企业新闻
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传Synopsys重启部分中国服务 2025-6-17
近日,美国EDA及半导体IP大厂Synopsys(新思科技)已恢复了在中国的部分服务,包括非核心硬件和知识产权的销售,使其能够为一些现有客户提供服务,但是核心EDA工具仍无法供应。
重庆万州建成化合物半导体芯片全产业链基地 2025-6-17
近日,位于重庆万州的威科赛乐微电子股份有限公司化合物半导体芯片封装模组生产线正式投入量产,成功打通了从关键原材料提取、核心芯片制造到高端封装模组的全链条环节,在全国率先建成化合物半导...
赛微电子出售瑞典Silex控股权 2025-6-16
6月13日,赛微电子宣布重大资产交易计划,拟向Bure、Creades等七名交易方转让公司所持有的瑞典Silex Microsystems AB(以下简称“瑞典Silex”)45.24%股份,交易价格为23.75亿瑞典克朗(以2025年...
芯聚能实现主驱碳化硅芯片-模块全链条自主量产上车... 2025-6-16
近期,搭载芯聚能自主碳化硅主驱芯片的模块规模生产,标志着公司在车规级功率半导体领域完成"芯片设计-模块制造"全链条自主化、规模化生产。
理想汽车与中国汽研成立智能声学联合创新中心 2025-6-13
日前,理想汽车与中国汽车工程研究院股份有限公司联合宣布成立“智能声学联合创新中心”。该平台也是中国汽研首次与汽车制造商联合成立的风噪创新平台。
广汽丰田官宣与小米汽车合作 2025-6-13
广汽丰田2025年科技日期间,该公司宣布与小米达成合作。
Uber携手Wayve在伦敦进行无人驾驶汽车测试 2025-6-12
Uber、英国初创公司Wayve宣布计划在伦敦进行L4级全自动驾驶汽车的公共道路测试。
赛富乐斯发布T3系列全彩MicroLED微显示屏 2025-6-12
6月10日,赛富乐斯(Saphlux LLC)正式发布T3系列0.13英寸单片全彩MicroLED微显示屏,该产品采用赛富乐斯自主研发的纳米孔量子点(NPQD)技术
北方华创PVD设备出货突破1000台 2025-6-11
5月28日,北方华创举办“PVD整机1000台交付庆典”。这是继刻蚀设备、立式炉设备之后,北方华创第三个达成单产品出货量突破1000台的品类里程碑。
Uber携手Wayve在伦敦进行无人驾驶汽车测试 2025-6-11
6月11日消息,Uber、英国初创公司Wayve宣布计划在伦敦进行L4级全自动驾驶汽车的公共道路测试。
恩智浦计划关闭多家8英寸厂,产能扩张转向12英寸 2025-6-10
据外媒报道,恩智浦(NXP)计划关闭多家8英寸晶圆厂,转向更高效率的12英寸制造。这一战略调整旨在提升生产效率和降低成本。
高通拟24亿美元收购Alphawave IP技术 2025-6-10
当地时间6月9日,高通公司宣布已与半导体IP大厂Alphawave达成协议,拟以约24亿美元(约合人民币172亿元)的交易价收购Alphawave。
富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高 2025-6-9
据中国计量科学研究院权威检测结果,富加镓业新一代厚度超10μm的氧化镓(β-Ga₂O₃)MOCVD同质外延片,其迁移率高达181.6 cm²/V·s,载流子浓度达4.2×10¹⁶ cm̿...
高通完成对车联网芯片设计公司Autotalks的收购 2025-6-9
日前,高通完成对车联网芯片设计公司Autotalks的收购,Autotalks的产品将加入高通的骁龙数字底盘产品组合。
国内首颗机器人关节“ GaN 驱动器芯片”正式商用 2025-6-6
近日,中科无线半导体有限公司宣布,其基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用
一汽-大众与天津经开区政府签署新能源车型项目合作... 2025-6-6
6月4日,一汽-大众与天津经开区政府在津签署新能源车型项目合作备忘录。
杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心 2025-6-5
近期,杰平方半导体(上海)有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅(SiC)战略合作协议,并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。
上海合晶:正推进12英寸55纳米CIS外延片量产 2025-6-5
据报道,上海合晶高管日前在业绩说明会上表示,公司今年重点聚焦布局12英寸发展趋势,全力推进12英寸55纳米CIS外延片量产,目前郑州合晶建厂扩产项目加速推进当中。
突破技术壁垒!合盛硅业成功研发12英寸碳化硅晶体... 2025-6-4
近日,合盛硅业股份有限公司下属单位宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸(300mm)导电型碳化硅(SiC)晶体,并启动切、磨、抛等加工技术的研究。
晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体 2025-6-4
日前,晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅(SiC)单晶生长技术突破,首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm,质量完好。
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