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Power Integrations推出1250V的GaN开关IC

      材料来源:雅时化合物半导体

Power Integrations Inc是一家位于美国加利福尼亚州圣何塞市的公司,为高能效功率转换供应高压集成电路,该公司推出据称为世界上电压最高的单开关氮化镓(GaN)电源IC,该IC具有1250V的PowiGaN开关。
Power Integrations的InnoSwitch系列包括离线CV/CC QR反激式开关IC,InnoSwitch3-EP 1250V IC是这一系列的最新成员,具有同步整流和FluxLink安全隔离反馈功能,还有一系列开关可供选择:725V硅开关、1700V碳化硅开关以及750V、900V、到现在1250V的PowiGaN开关。
对于Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术,其开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一。这使其功率转换效率高达93%,进而实现高度紧凑的反激式电源,该电源无需散热器即可提供高达85W的功率。
Power Integrations技术副总裁Radu Barsan表示:“Power Integrations不断将高压GaN技术的开发和商业应用推进至最高水平,期间甚至将最好的高压硅MOSFET也淘汰出局。我们于2019年即率先向市场大批量出货基于GaN的电源IC,今年年初,还推出了基于GaN的900V InnoSwitch新品。”他补充说:“我们一直在开发电压更高的GaN技术,本次推出的新型1250V器件就说明了这一点,此器件将GaN的效率优势扩展至更广泛的应用领域,包括目前使用碳化硅技术的许多应用领域。”
设计人员使用新型InnoSwitch3-EP 1250V IC时,可以明确其峰值工作电压为1000V,使其在1250V的绝对最大值下,可以实现80%的行业标准降额。这为工业应用提供了巨大的余量,在极具挑战的电网环境中尤为重要,因为在这种环境下,稳健性是一种重要的防御手段,可抵御电网波动、浪涌、其他电力扰动。
样品现已开始供货;1250V InnoSwitch3-EP IC的批量出货周期为16周。订货量达一万件时,采用INSOP-24D封装的InnoSwitch3-EP 1250V器件每件3美元。还推出了一份参考设计DER-1025,其中介绍了12V、6A反激式转换器的参考设计,有需要者可免费下载。
 
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