三菱电机：8英寸SiC工厂预计本月竣工

据报道，罗姆半导体计划于今年启用8英寸产线，用于生产第五代SiC MOSFET。与此同时，日本另一家碳化硅企业——三菱电机也透露，其8英寸SiC工厂预计本月内竣工，并将于11月启动试生产，目标在2027年实现量产：9月19日，三菱电机半导体执行官、集团总裁Masayoshi Takemi在接受日经Crosstech采访时透露，他们位于日本熊本县的8英寸SiC生产基地正在加快建设，其生产大楼预计将于2025年9月竣工，将于同年11月采用8英寸SiC衬底开始试生产，并计划于2027年开始量产。

此前，三菱电机在2010年代后期，建立了6英寸SiC生产线，这也是他们目前的主要生产线。而在2023年3月中旬，三菱电机宣布计划在5年内投资约1000亿日元（约48亿元人民币）用于建造一座新的8英寸SiC晶圆厂，并增加相关生产设施。2024年4月，三菱电机的8英寸SiC工厂正式开工建设，共有六层，总建筑面积约4.2万平方米，主要负责8英寸SiC晶圆的前端工艺，将在全工序段引入自动输送系统，其预计投产日期为2026年4月。同年5月，三菱电机举办了IR Day 2024，并进一步透露：8英寸SiC工厂的竣工时间将定为2025年9月，投产时间将从2026年4月提前至2025年11月。在产能与销售目标方面，三菱电机销售目标是到2030财年将功率半导体业务中的SiC销售比例提高到30%以上，产能目标在2026财年将SiC产能提升5倍（与2022财年相比）。

从目前的进度来看，三菱电机8英寸SiC工厂的建设基本按计划推进，从开工到投产共用时约一年半，建设周期较为紧凑，有望在今年实现投产。除了布局建设8英寸SiC晶圆厂外，三菱电机还在2023年锁定了Coherent的6&8英寸碳化硅衬底产能，旨在采购与中国制造相当的低成本SiC衬底：2023年5月：三菱电机与Coherent签署了一份谅解备忘录（MOU）并达成项目合作，其中Coherent将为三菱电机在新工厂生产的未来SiC功率器件开发8英寸N型4H SiC衬底。2023年10月：电装和三菱电机合计投资10亿美元（约72.9亿人民币），获得Coherent碳化硅业务合计25%股权，并共同成立一家新的SiC子公司。Coherent将支持2家日本企业6英寸/8英寸碳化硅衬底和外延片需求。值得关注的是，今年5月，三菱电机还在投资者关系日会上透露，三菱电机已按计划推动新工厂建设，提升8英寸Si晶圆及6英寸SiC晶圆产能，并推进向12英寸Si晶圆及8英寸SiC晶圆等大直径功率半导体晶圆的转型。未来还将新增投资，用于提高大尺寸功率芯片及光器件产能，布局中长期市场扩张。此外，三菱电机与Coherent的合作成果即将进入收获阶段，未来将持续加大战略性投资，强化合作。

 

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