拓荆科技沈阳二厂项目已动工建设

10月20日，拓荆科技召开2025年半年度业绩说明会。

拓荆科技表示，公司将基于现有优势，持续深耕薄膜沉积设备和应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备的研发与产业化应用，同时不断拓展前沿技术。在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及Flowable CVD为主的薄膜沉积设备工艺覆盖面；三维集成领域，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案，目前公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户。

目前，拓荆科技在手订单饱满，具体金额暂未披露。公司沈阳新建产业化基地即“高端半导体设备产业化基地建设项目”（简称“沈阳二厂”项目）拟投资总额为17.68亿元，其中15亿元拟使用本次定增募集资金。项目总建筑面积15.5万平方米，包含高端半导体设备的研发、生产及相关配套功能。目前项目已完成土地购置、总包施工合同，已经开始启动施工建设。

同时，拓荆科技还表示，国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）向公司控股子公司拓荆键科增资，是基于对于拓荆键科三维集成领域先进键合设备业务的市场前景、拓荆键科的产品研发水平以及公司管理能力等诸多方面的综合考量，本次投资有助于拓荆键科扩张产能，增强研发实力，扩大拓荆键科业务规模。

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