重庆万国12英寸功率半导体生产基地研发大楼奠基

据重庆万国半导体科技有限公司官微消息，日前，重庆万国半导体科技有限公司研发大楼开工奠基仪式举行。

据悉，本次奠基的研发大楼位于重庆万国厂区核心区域，大楼建成后，将集芯片研发实验室、工艺测试中心、产品验证平台、技术交流中心于一体，重点围绕12英寸功率半导体器件、车规级芯片、先进电源管理技术等核心方向展开研发攻关，同步配套芯片性能测试、可靠性验证、工艺优化等关键功能，可满足500余名研发人员的科研工作需求。

研发大楼建成后，将与重庆万国现有芯片制造、封装测试产线形成“研发-制造-封测”一体化闭环，加速MOSFET、IGBT、电源管理IC等高端功率器件的技术突破与产品迭代，重点服务新能源汽车、工业自动化、人工智能、消费电子等核心应用领域。同时，该项目将进一步完善重庆功率半导体产业链创新生态，助力区域突破高端功率芯片关键技术瓶颈，推动国产功率半导体替代进程。