总投资20亿元，沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目新进展

据沈阳高新区官微消息，近日，位于浑南区智能制造产业园的沈阳拓荆高端半导体设备产业化基地项目建设进入主体收尾关键阶段，正全力冲刺机电安装节点。

据悉，该项目总投资20亿元，总建筑面积15.6万平方米，涵盖研发中心与洁净厂房两大核心功能区。按照计划，项目将于7月中旬实现所有结构全面封顶，年底前完成幕墙封闭，为明年室内精装修及园林景观施工奠定基础，2027年年底实现全部竣工交付。

作为芯片制造核心关键装备研发生产载体，项目建成投产后将聚焦全球领先的薄膜沉积设备研发与产业化，全力补齐国产半导体装备产能短板，大幅提升我国高端芯片制造设备自主供给能力，为半导体产业链供应链自主可控注入强劲动力。项目运营后，沈阳地区产能将提升至当前四倍，全面支撑PECVD、SACVD、HDPCVD等高端薄膜产品产业化落地，推动企业业务规模持续增长。

【线下会议】

7月24日·苏州，一场聚焦化合物半导体前沿技术与产业发展的深度对话蓄势待发。本届会议将围绕AI/光电子器件、先进封装等核心议题，汇聚产学研各界专家，共探技术突破路径，破解产业化痛点。诚邀您拨冗莅临苏州，与行业同仁一道，掘金化合物半导体新蓝海，共创产业发展新机遇！立即报名锁定席位：

https://www.compoundsemiconductorchina.net/seminar/into/20260724

【2026全年计划】

CSC全年系列研讨会重磅登场！全年多场深度对话，覆盖化合物半导体全产业链核心议题。诚邀您一同探索技术未来，破解产业难题，共创合作机遇，欢迎大家关注我们最新年度的全年计划：https://www.compoundsemiconductorchina.net/seminar/